Evaluation methods of mechanical properties for low-k dielectrics
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
modification of nanoclay for improving the physico-mechanical properties of dental adhesives
هدف اصلی این مطالعه تهیه یک سامانه نوین چسب عاجی دندانی بر پایه نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید و نانورس پیوند شده با کیتوسان اصلاح شده با گلایسیدیل متاکریلات است. پیوند پلی متاکریلیک اسید و پلی اکریلیک اسید بر ری سطح نانورس در حضور و ...
Low-k interlevel dielectrics technology
Semiconductor manufacturers have been shrinking transistor size in integrated circuits (IC) to improve chip performance. This has resulted in increased speed and device density, both of which were described well by what is known as Moore’s Law – chip performance will double every ~18 months. The speed of an electrical signal in an IC is governed by two components – the switching time of an indi...
متن کاملdetermination of some physical and mechanical properties red bean
چکیده: در این تحقیق، برخی خواص فیزیکی و مکانیکی لوبیا قرمز به-صورت تابعی از محتوی رطوبت بررسی شد. نتایج نشان داد که رطوبت بر خواص فیزیکی لوبیا قرمز شامل طول، عرض، ضخامت، قطر متوسط هندسی، قطر متوسط حسابی، سطح تصویر شده، حجم، چگالی توده، تخلخل، وزن هزار دانه و زاویه ی استقرار استاتیکی در سطح احتمال 1 درصد اثر معنی داری دارد. به طوری که با افزایش رطوبت از 54/7 به 12 درصد بر پایه خشک طول، عرض، ضخام...
15 صفحه اولComputer simulation of nanoporous low - k dielectrics for microelectronic applications
32 Driving the interconnect dimensions of microelectronic circuits to smaller sizes, the delay time caused by the electrical resistance of the Aluminium or Copper wires and the capacitors generated by neighbouring wires and the insulating material becomes the essential limiting factor of the performance of the circuits [1-3]. Fig. 1 shows the delay time as a function of the interconnect dimensi...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Russian Technological Journal
سال: 2021
ISSN: 2500-316X
DOI: 10.32362/2500-316x-2021-9-3-40-48